台积电（TSMC）目前正在N3制程节点上开发多个工艺，包括了N3、N3B和N3E。去年台积电总裁魏哲家表示，N3制程节点仍使用FinFET晶体管的结构，推出的时候将成为业界最先进的PPA和晶体管技术，同时也会是台积电另一个大规模量产且持久的制程节点。
据TechPowerup报道，近期摩根士丹利的报告指，在N3基础上扩展的N3E已提前准备好了，工艺流程可能会在这个月底确定。台积电原计划在2022年下半年量产N3制程节点，N3E作为3nm工艺中的简化版本，量产时间为2023年下半年。由于N3E测试生产的时候良品率较高，台积电希望能更早地实现商业化，可能会提前到2023年第二季度。
据了解，N3E在N3基础上减少了EUV光罩层数，从25层减少到21层，逻辑密度低了8%，但仍然比N5制程节点要高出60%。此外，N3E的良品率也高于N3B，后者传言是针对某些客户使用而开发的N3改进版本，不过目前缺乏相关信息。无论N3E还是N3B，都不是用于取代N3，只是让客户有更多的选择，在不同产品上有更好的性能和功耗表现。
芯片测试设备制造商Teradyne表示，2023年对3nm芯片的需求会有明显的增长，虽然像苹果这样的公司最早在2023年初就能得到首批3nm芯片，但其他厂商最快可能在2023年下半年就能跟进。
【来源：超能网】
