3月18日消息，据台媒digitimes今日消息，SK海力士预计将独家供应英伟达Blackwell Ultra架构芯片第五代12层HBM3E，预期与三星电子、美光的差距将进一步拉大。
SK海力士于去年9月全球率先开始量产12层HBM3E芯片，实现了最大36GB容量。12层HBM3E的运行速度可达9.6Gbps，在搭载四个 HBM 的 GPU 上运行‘Llama 3 70B’大语言模型时每秒可读取 35 次 700 亿个整体参数的水平。
IT之家注意到，去年11月，SK集团会长崔泰源表示，英伟达CEO黄仁勋要求SK海力士提前六个月供应被称为HBM4的下一代高带宽内存芯片。
SK海力士计划在2025年下半年推出采用12层DRAM堆叠的首批HBM4产品，而16层堆叠HBM稍晚于2026年推出。
彭博社知情人士今年2月透露，三星电子公司已获得批准向英伟达供应其高带宽存储芯片8层HBM3E。虽然该批准标志着三星向前迈进了一步，但它在高带宽内存（HBM）技术方面仍然落后于SK海力士和美光科技等竞争对手。
而美光方面，美光执行副总裁兼首席财务官 Mark Murphy 今年 2 月透露，该公司的 12 层堆叠 HBM 内存产品（12Hi HBM3E）即将放量。
【来源：IT之家】
