来源：超能网
在今年年初我们报道过三星已经攻克了 3nm 工艺的关键 GAA 全能门技术，并且打算在 2021 年实现量产，并希望以此在 3nm 竞争中击败台积电，但由于新冠病毒的大流行，这一计划可能要被推迟了。
根据 Digitimes 的报道，由于新冠病毒的流行打乱了三星公司原本为新生产线安装设备的安排，因为病毒对物流和运输服务的影响导致了 EUV 和其他生产设备的交付延迟了，三星可能会把 3nm 工艺的投产时间推迟到 2022 年，这对三星会造成什么影响暂时还未知。
三星的 3nm 工艺将不再使用 FinFET 技术相而是转向 GAA 技术，新的技术可以让芯片面积减少 35%，功耗下降约 50%，3nm GAA 工艺与 5nm FinFET 工艺相比，同样功耗情况下性能提升 33%。
GAA 全能门与 FinFET 的不同之处在于，GAA 设计围绕着通道的四个面周围有栅极，从而确保了减少漏电压并且改善了对通道的控制，这是缩小工艺节点时的基本步骤，使用更高效的晶体管设计，再加上更小的节点尺寸，和 5nm FinFET 工艺相比能实现更好的能耗比。
