三星于今年3月在其华城园区引入了首台ASML制造的High-NA EUV光刻机，型号为“TWINSCAN EXE:5000”，主要用于技术研发。三星也成为了英特尔（2023年末）和台积电（2024年第三季度）之后，第三家安装High-NA EUV光刻机的半导体制造商。
据TrendForce报道，三星将于今年晚些时候接收首台型号为“TWINSCAN EXE:5200B”的High-NA EUV光刻机，明年上半年还会接收第二台同型号机器。TWINSCAN EXE:5200B属于首个High-NA EUV量产型号，标志着三星已经在为新一代光刻技术应用于大规模生产做准备。
三星并非首个安装TWINSCAN EXE:5200B的半导体制造商，上个月SK海力士就已官宣引入同型号设备，安装在韩国利川M16工厂，用于下一代DRAM的生产。有消息人士透露，三星计划将High-NA EUV光刻机用于2nm工艺的生产线，制造Exynos 2600和特斯拉下一代AI芯片，另外还支持未来采用垂直通道晶体管（VCT）的DRAM。
传闻三星购买这两台High-NA EUV光刻机大概花费了7.73亿美元（约合人民币55.09亿元）
【来源：超能网】
