上个月有报道称，经过了一年半的努力，三星去年2月开发的12层堆叠HBM3E终于通过了英伟达的质量测试。三星主要解决了HBM3E的发热问题，主要得益于去年5月开始的更新设计工作，基于1αnm（第四代10nm级别）工艺打造的DRAM芯片。
据Wccftech报道，英伟达已经订购了三星的12层堆叠HBM3E，将用于搭载Blackwell Ultra GB300的机架级解决方案。对于三星来说，进入英伟达的HBM3E合作伙伴名单至关重要，必须通过打入主流HBM领域才能重新获得在DRAM市场的主导地位。传闻三星还计划购入5万颗英伟达的AI芯片，但是具体交易细节尚未披露。
虽然三星暂时可以松一口气，但是还没有到完全扭转局势的地步，毕竟下一代HBM4即将到来，而主要竞争对手SK海力士已经占据了先发优势，预计供应初始阶段仍然能保持其最大供应商的位置。
三星也有自己的优势，早在2024年就决定将基础裸片的制造工艺升级到4nm，预计最高速度可达到10Gb/s，高于竞争对手SK海力士和美光提供的JEDEC标准产品。另外三星拥有自己的逻辑芯片生产线，并不需要像SK海力士和美光那样选择台积电代工，定价方面会更具竞争力。
【来源：超能网】
