目前SK海力士是英伟达主要的HBM供应商，已经提供了8层和12层堆叠的HBM3E，而且准备供应HBM4，用于英伟达下一代基于Rubin架构GPU构建的AI加速器。相比之下，与SK海力士差不多同一时期提供HBM3E样品的三星落后很多，一直无法通过英伟达的验证，直接影响了整个存储器业务的营收。今年初三星更新了HBM3E设计，以便尽快完成英伟达的认证工作。
据TrendForce报道，经过了一年半的努力，三星去年2月开发的12层堆叠HBM3E终于通过了英伟达的质量测试，缩小了与SK海力士之间的差距。有业内人士称，这一成就反映了三星对现有HBM3E产品的性能提升，以及英伟达推动供应商多元化的努力。
不过也有消息称，三星只是完成了第二轮内部晶圆验收测试（WAT），整个工作还没有完成，尚未获得英伟达的正式批准。三星今年主要解决了HBM3E的发热问题，主要得益于去年5月开始的更新设计工作，基于1αnm（第四代10nm级别）工艺打造的DRAM芯片。
本月早些时候，SK海力士宣布已率先完成HBM4的开发工作，并在全球首次构建了量产体系。三星则是在今年第二季度生产出HBM4样品，通过了英伟达初步的质量测试，还要等待最后的验证步骤。
近期传出英伟达要求供应商尽快将HBM4的速度从8Gb/s提高到10Gb/s，以便更好地应对AMD明年的Instinct MI450计算卡及“Helios”AI机架系统带来的威胁。得益于4nm工艺制造基础裸片，加上以1cnm（第六代10nm级别）工艺制造DRAM芯片，优于SK海力士的1β (b) nm（第五代10nm级别）工艺，三星的HBM4可以更好地满足英伟达的要求。
【来源：超能网】
