据台湾工商时报报道，全球晶圆代工龙头台积电已启动3nm晶圆厂Fab 18B厂兴建，预期明年下半年进入量产，至于选定在新竹宝山兴建的2nm晶圆厂虽然仍有环评问题有待解决，但新厂预估会在明年下半年动土兴建。据半导体设备商预估，台积电3nm及2nm的技术研发及产能投资，合计超过新台币2兆元（约合人民币4645亿元，718.7亿美元）的大投资计划已正式启动，半导体设备厂将直接受益。
在此前的法说会上，台积电曾宣布将今年资本支出将提升至250～280亿美元创下历史新高纪录，同时改写台湾科技业单一厂商年度资本支出的新高纪录。台积电未来几年的重大投资，在于建置3nm鳍式场效电晶体（FinFET）制程产能，以及2nm环绕闸极（GAA）制程产能，设备业者推估未来3～5年的资本支出维持高档，整个3nm及2nm大投资总金额将超过新台币2兆元。
台积电专为3nm打造的南科Fab 18B厂已经开始动土兴建，预期将兴建Fab 18厂区第四期至第六期等共三座晶圆厂，总月产能约达9万片，台积电规划的3nm厂房基地面积约为35公顷，洁净室面积将超过16万平方公尺，大约是22座标准足球场大。台积电3nm预计今年下半年试产，明年下半年进入量产，届时将成为全球最先进的逻辑制程技术，使得台积电持续保持技术领先的地位。
台积电2nm已进入技术研发阶段，建厂地点已选定在新竹宝山，虽然近期仍有环评问题有待解决，但业界评估应可顺利过关。台积电2nm初期建厂将维持三座厂的超大型晶圆厂（GigaFab）建置，预计2nm将于3nm量产第二年的2023年进入试产，2024年进入量产，届时台积电2nm仍会是当时全球最先进的逻辑制程技术。
由于3nm及2nm都采用先进的极紫外光（EUV）光刻技术，台积电未来几年资本支出将维持高档，2nm进入量产之际，台积电的EUV机台总数将上看100台庞大规模，成为全球拥有最大EUV产能的半导体厂。为搭配先进制程技术推进，台积电同步布局3D Fabric先进封装，看好小晶片（chiplet）架构带来新成长动能，芯片或晶圆堆叠的SoIC技术预计在2022年开始量产。
台积电全力冲刺3nm及2nm先进制程的同时，也对台湾供应链扩大下单，包括EUV光罩载具厂家登，厂务工程业者汉唐及帆宣，设备及备品供应商京鼎及弘塑，绿色制程厂务工程业者信纮科，精密零组件供应商意德士及公准，检测分析业者宜特及闳康等台积电大联盟合作伙伴直接受惠。
【来源：芯智讯】
