出处：快科技 作者：万南
由华人科学家胡正明教授发明的 FinFET（鳍式场效应晶体管）预计在 5nm 节点之后走向终结，三星的方案是 GAAFET（环绕栅极场效应晶体管）。
三星日前简要介绍了 GAAFET 中核心技术 MCBFET（多桥沟道场效应晶体管），基于它打造的 3nm 芯片，相较于 7nm FinFET, 可以减少 50% 的能耗，增加 30% 的性能。
按照三星的说法，他们预计 3nm 晶体管的硅间距缩减 45% 之多。
据悉，MCBFET 允许晶体管向上堆叠、并且自定义宽度，以适应低功耗或者高性能产品的不同要求。
另外，三星规划 3nm 量产的时间是 2022 年，这和上周的报道契合。推迟的原因主要是，EUV 光刻机等关键设备在物流上的延迟。
至于台积电的 3nm，据说第一代还是 FinFET，总投资高达 500 亿美元，风险试产也推迟到了今年 10 月。
