出处：快科技 作者：万南
今日，三星电子宣布已开始量产 512GB 封装容量的 eUFS 3.1 闪存，可用于手机、平板等。
相较上一代 eUFS 3.0（512GB）闪存产品，新款的写速提升了 200%，达到了惊人的 1200MB/s，比用于 PC 的传统 SATA3 SSD（540MB/s）和 UHS-I microSD 存储卡（90MB/s），可谓巨大的升级，可消除 8K、5G 时代下的存储瓶颈。
其它性能参数还包括，连续读取速度可达 2100MB/s，随机读取速度就 100K IOPS，随机写入速度 70K IOPS。
当然，这批新的 eUFS 3.1 闪存还有 128GB 和 256GB 容量。
另外，三星还透露，其位于中国西安市的 X2 线则已于本月开始生产第五代 V-NAND（9x 层），韩国平泽市的 P1 线将很快转向第六代 V-NAND 闪存（1xx 层）芯片的量产，以满足日益增长的市场需求。
此前，西部数据、铠侠（原东芝存储）也介绍了 UFS 3.1 闪存产品，但都是出样，没有达到量产程度。
