7月22日消息，据报道，SK海力士CEO郭鲁正近日发出警告，称2027年将是存储行业历史上供应最严峻的一年，当前由内存涨价引发的市场震荡可能还远未见顶。
Business Times称，2027至2028年间存储相关晶圆产能预计每年增长约12%，但其中约一半将被HBM占据。
其中三星2026年HBM出货量约为120亿Gb，2027年将增至200亿Gb；SK海力士2026年为180亿Gb，2027年将达240亿Gb。HBM对晶圆的吞噬效应直接挤压了常规DRAM的产能空间。
由此带来的结果是，2027至2028年非HBM DRAM位元增长率将被限制在年化15%，而同期需求预计增长22%，供应缺口达7个百分点。
产能扩容方面，三星P5 Fab 1将于2027年7月投产，P5 Fab 2和龙仁另一座工厂要到2029年才能开始量产。SK海力士龙仁Y1工厂计划2027年2月投产，Y2工厂预计2028年下半年才能上线。这意味着短期内新增产能难以有效缓解供应紧张。
长鑫存储向DDR6的转型计划可能是一个缓解因素，但目前其量产时间表尚不确定，且是否向中国以外市场供货仍不确定。
日前威刚董事长陈立白在采访期间也驳斥AI泡沫论，称未来十年最缺电力和内存，三大原厂理性扩产不会无序扩张，内存价格下半年将继续上涨。
【来源：快科技】
