来源：快科技
这几年，台积电在半导体工艺上一路策马扬鞭，春风得意，能够追赶的也只有三星了，但是后者的工艺品质一直饱受质疑。
IEEE ISSCC 国际固态电路大会上，三星 ( 确切地说是 Samsung Foundry ) 又首次展示了采用 3nm 工艺制造的芯片，是一颗 256Gb ( 32GB ) 容量的 SRAM 存储芯片，这也是新工艺落地传统的第一步。
在三星路线图上，14nm、10nm、7nm、3nm 都是全新工艺节点，其他则是升级改善型，包括 11/8/6/5/4nm 等等。
三星将在 3nm 工艺上第一次应用 GAAFET ( 环绕栅极场效应晶体管 ) 技术，再次实现了晶体管结构的突破，比现在的 FinFET 立体晶体管又是一大飞跃。
GAAFET 技术又分为两种类型，一是常规 GAAFET，使用纳米线 ( nanowire ) 作为晶体管的鳍 ( fin ) ，二是 MBCFET ( 多桥通道场效应晶体管 ) ，使用的鳍更厚更宽一些，称之为纳米片 ( nanosheet ) 。
三星的第一颗 3nm SRAM 芯片用的就是 MBCFET，容量 256Gb，面积 56 平方毫米，最令三星骄傲的就是超低功耗，写入电流只需要区区 0.23V，这要感谢 MBCFET 的多种省电技术。
按照三星的说法，3GAE 工艺相比于其 7LPP，可将晶体管密度增加最多 80％，性能提升最多 30％，或者功耗降低最多 50％。
或许，这可以让三星更好地控制芯片功耗、发热，避免再出现所谓的 " 翻车 "。
三星 3nm 预计明年投入量产，但尚未公布任何客户。
台积电方面，3nm 继续使用 FinFET 技术，号称相比于 5nm 晶体管密度增加 70％，性能可提升 11％，或者功耗可降低 27％，预计今年晚些时候投入试产，明年量产，客户包括除了苹果、AMD、NVIDIA、联发科、赛灵思、博通、高通等，甚至据说 Intel 也会用。
