在半导体产业中，存在一种常被外界简化理解的“技术平移”假象——认为同属存储大类下的不同分支，其制造能力可以自然转换。近期，国内ＮＡＮＤ厂商布局ＤＲＡＭ领域的动向备受关注，然而产业内部对此普遍持审慎态度。一个常见的误解是：既然同属存储芯片，ＮＡＮＤ与ＤＲＡＭ的技术和产线理应互通。但实际情况是，二者在产品架构、工艺路径和制造逻辑上存在本质差异。
业界专家比喻，从ＤＲＡＭ延伸至ＮＡＮＤ如同掌握高阶技术后向相对标准化领域拓展；而反向从ＮＡＮＤ攻坚ＤＲＡＭ，则近似于在积累了规模化建造经验后，试图攻克精密仪器的极限制造——这不仅是技术路径的转换，更是对工艺精度、材料体系和制造稳定性要求的系统性跃升。
即便有企业已推出工程样品，从单颗芯片到规模化稳定量产之间，仍横亘着需要长期攻坚的“制造鸿沟”。那么，从工程制造视角审视，从ＮＡＮＤ Ｆｌａｓｈ跨越到ＤＲＡＭ，乃至复杂度更高的ＨＢＭ，中间究竟存在哪些必须突破的实质性壁垒？是否真如外界设想，只要有厂房与设备，产能便可自然平移？
今天，我们暂搁市场叙事，聚焦制造本质，理性拆解这条跨越之路必须穿越的几重核心关卡。
存储芯片的技术分水岭：ＤＲＡＭ为何成ＮＡＮＤ厂商跨界最难啃的骨头
存储芯片并非同质化产品，ＤＲＡＭ与ＮＡＮＤ在计算机系统架构中承担着截然不同的职责，二者各司其职、无法相互替代，而这种功能分野，更从根源上决定了二者制造工艺的天壤之别，其中ＤＲＡＭ的工艺难度尤为突出，构成了跨界攻坚的核心壁垒。
ＤＲＡＭ（随机存取存储器）堪称ＣＰＵ与ＧＰＵ的“高速中转站”，核心使命是实现极致的数据读写速度，以纳秒级响应完成数据吞吐与交换。无论是运行复杂的人工智能模型，还是处理高清视频渲染、大型游戏加载等重负载任务，ＤＲＡＭ的带宽表现与延迟控制都直接决定了计算效率的天花板。但为了追求极致速度，它不得不牺牲数据持久性——作为易失性存储，一旦切断电源，“中转站”内的所有数据会瞬间清零。
与之相对，ＮＡＮＤ（闪存）则是整个系统的“海量仓库”，核心诉求是最大化存储容量与数据稳定性。即便完全断开电源，ＮＡＮＤ中存储的信息也能留存数年甚至数十年，无需持续供电维持。因此，ＮＡＮＤ的技术演进核心，始终围绕着如何在有限的硅片面积内，承载更多的比特数据，实现存储密度的持续提升。
从整个计算体系的定位来看，ＤＲＡＭ更贴近ＣＰＵ、ＧＰＵ等计算核心，必须与计算核心的运行速度精准适配，是存储层级中更核心的存在，其读写速度约为ＮＡＮＤ的３０００倍，二者在功能上形成互补，却无法相互替代，而功能的差异直接导向了工艺路线的彻底分野。
二者在纳米级制造层面的工艺逻辑，堪称两个完全独立的领域——若用形象的比喻，ＤＲＡＭ的制造是“精挖深井”的极致微缩，ＮＡＮＤ则是“搭建高楼”的垂直堆叠，二者的工艺难度、核心痛点与技术突破方向截然不同，其中ＤＲＡＭ的工艺复杂度与极限挑战远超ＮＡＮＤ，是跨界突破的核心难关。
在ＮＡＮＤ领域，３Ｄ堆叠技术早已成为行业主流，也是提升存储密度的核心路径。工程师们通过精准的工艺控制，将存储单元垂直堆叠至数百层，在有限的硅片空间内构建起高密度的存储阵列，如同在方寸之地搭建起一座座摩天大楼。这种工艺的核心挑战集中在结构稳定性与精准度上：一方面要保证数百层薄膜的厚度均匀、材质一致，避免因层数过多导致的结构坍塌或性能衰减；另一方面，需要在极短时间内精准打通成千上万个贯穿全层的超深接触孔，确保数据能够高效传输，每一个环节的误差都可能导致整批产品报废。随着堆叠层数不断突破（已达５００层以上），对薄膜沉积、刻蚀等工艺的精度要求更是达到了纳米级的极致。
相较于ＮＡＮＤ的“向上堆叠”，ＤＲＡＭ的制造更像是“向下深挖”，考验的是微缩工艺的极限突破，其难度远超ＮＡＮＤ。每一颗ＤＲＡＭ存储单元都由一个晶体管和一个电容器组成，而电容器的性能直接决定了数据存储的稳定性——需要存储足够的电荷以清晰区分０和１信号，同时还要尽可能缩小体积，适配制程微缩的趋势。随着ＤＲＡＭ制程向１４ｎｍ及以下节点推进，电容必须做得极窄且极深，形成极高的深宽比（深度与宽度的比值），这种极端结构相当于在头发丝粗细的截面上，挖掘数亿口深达数公里的深井，无论是物理层面的结构控制，还是化学层面的材料沉积，都在挑战半导体制造的极限。
业内专家指出，ＣＰＵ、ＧＰＵ的制造难度已被大众熟知，但ＤＲＡＭ的制造难度实则与高端逻辑芯片处于同一水平，二者并称制造难度最高的两类芯片。衡量芯片制造难度的核心指标之一，便是光刻机的应用——ＥＵＶ（极紫外）光刻机作为全球最先进的半导体制造设备，主要用于７ｎｍ、５ｎｍ节点的ＣＰＵ，以及１４ｎｍ级别（１ａ／１ｂ节点）的先进ＤＲＡＭ生产，而ＮＡＮＤ制造则无需依赖ＥＵＶ光刻机，仅通过ＤＵＶ（深紫外）光刻机即可满足需求。这一差异直接印证了：先进ＤＲＡＭ面临的制造挑战与物理极限，与５ｎｍ、７ｎｍ高端ＣＰＵ持平，均属于全球工业领域的“地狱级难度”任务，而ＮＡＮＤ的工艺门槛与之相比差距显著，这也成为ＮＡＮＤ厂商跨界攻坚ＤＲＡＭ的核心阻碍。
ＮＡＮＤ厂商跨界ＤＲＡＭ的产线重构困局与成本悬崖
ＮＡＮＤ厂商跨界攻坚ＤＲＡＭ，需直面产线、产业历史与量产落地的多重阻碍，每一道壁垒都需付出高昂代价。外界常误以为半导体厂房可通用，实则ＤＲＡＭ与ＮＡＮＤ生产线完全无法兼容，转型需彻底重构。二者技术原理与单元结构的差异，决定核心制造设备无法复用：ＤＲＡＭ生产需高介电常数材料沉积设备、精密原子层沉积工具及严苛的杂质与温控标准，以保障电容结构稳定；ＮＡＮＤ产线则侧重深孔刻蚀设备适配垂直堆叠需求。而ＮＡＮＤ厂房的设计的全维度适配堆叠工艺，转型ＤＲＡＭ需清空机台、投入数十亿美元购置新设备并完成长期工艺校准，资本与时间成本极高。
从产业历史来看，ＤＲＡＭ市场竞争残酷、门槛极高，德国奇梦达、日本尔必达等巨头均因难以承受试错成本与周期波动黯然退场。全球现存三大存储巨头均以ＤＲＡＭ起家，攻克核心技术后才“降级”切入ＮＡＮＤ市场，而从ＮＡＮＤ逆向攻坚ＤＲＡＭ尚无成功先例，需重构研发范式、储备专业人才并突破专利壁垒。
即便突破技术与产线难关，从工程样品到规模化量产仍需跨越“死亡之谷”。行业对ＬＰＤＤＲ５ ＤＲＡＭ样品的审慎态度，正源于此——样品仅代表实验室技术可行，ＤＲＡＭ良率控制极度敏感，晶圆上少量单元故障即可能导致芯片报废；且需经过１－２年下游客户认证，与高端处理器及终端厂商深度适配，信任资产积累耗时久。此外，ＨＢＭ依赖先进ＤＲＡＭ原片集成，缺乏量产积淀则无从谈起，进一步抬高了跨界门槛。
外界往往存在认知误区，认为半导体厂房具有通用性，只需更换生产物料就能切换产品类型，实则ＤＲＡＭ与ＮＡＮＤ的生产线在设备配置、工艺参数上完全无法兼容，转型意味着彻底的“重装上阵”。二者技术原理与单元结构的差异，决定了核心制造设备无法复用：ＤＲＡＭ生产需大量高介电常数（Ｈｉｇｈ－Ｋ）材料沉积设备与精密原子层沉积（ＡＬＤ）工具，用于构建复杂电容结构，同时对金属杂质、温度控制的要求极致严苛，以避免电容间电荷干扰；ＮＡＮＤ产线则侧重配置深孔刻蚀设备，适配垂直堆叠的工艺需求。
综观全局，ＮＡＮＤ厂商向ＤＲＡＭ及ＨＢＭ领域的跨越，本质上是一场对半导体制造极限的重新挑战。这不仅需要突破从＂堆叠＂到＂微缩＂的工艺范式转换，更要直面与高端逻辑芯片同等量级的物理极限与工程复杂度。当市场聚焦于ＨＢＭ作为算力时代的关键资源时，我们更需清醒认识到：从实验室样品到稳定量产，其间横亘着材料科学、精密制造、良率控制和生态协同的四重壁垒。
中国存储产业的进阶之路，需要的不仅是投资和决心，更是对产业规律的深度理解和长期坚守。每一次工艺参数的优化、每一轮量产爬坡的积累、每一个客户认证的突破，都是在为最终的体系化突破奠定基础。这条道路注定艰辛，但也唯有穿越这些必经的挑战，才能真正在存储技术的核心领域建立起持久的竞争力。
