继SiC MOSFET在新能源汽车主驱领域实现快速上量应用后，AI数据中心电源正成为其下一个爆发式增长市场。
近日，芯联集成发布全新碳化硅G2.0技术平台，采用了8英寸更先进制造技术，已达到全球领先水平。
该技术平台通过器件结构与工艺制程的双重优化，实现“高效率、高功率密度、高可靠”核心目标，全面覆盖电驱与电源两大核心应用场景，可广泛应用新能源汽车主驱、车载电源及AI数据中心电源等广阔市场。
在电驱领域，芯联集成碳化硅G2.0电驱版凭借更低导通损耗与优异开关软度，功率密度提升20%，可显著增强新能源汽车主驱系统动力输出与能效表现，为整车续航提升提供关键支撑。
电源场景中，芯联集成碳化硅G2.0电源版针对性优化寄生电容设计，通过封装优化强化散热，开关损耗降低高达30%，兼具强化的动态可靠性设计，实现电源转换效率与系统功率密度大幅提升，完美适配SST、HVDC等AI数据中心电源及车载OBC电源需求。
2024年，芯联集成SiC MOSFET收入超10亿元，今年预计仍将实现50%以上增长。随着AI数据中心电源需求的增加，明年公司预计在该领域将实现更快增速发展。
芯联集成此次发布的全新碳化硅G2.0技术平台，核心参数及各类核心指标均实现对国际主流厂商最先进水平对标，进一步巩固了自身技术领先地位。未来，该平台将极大助力客户把握新能源电气化与AI算力建设双重机遇，构建领先的差异化竞争优势。
