日经中文网8日报道，日本大阪大学、三重大学、美国康奈尔大学的研究团队开发出用于“6G”的半导体成膜技术。
据悉，研究团队开发出用氮化铝代替氮化铝镓的高电子迁移率晶体管（HEMT）制造技术。原来在成膜过程中氮化铝表面发生氧化，由此产生的氧杂质改变氮化铝的结晶，难以获得高导电性。通过形成非常薄的铝膜，还原表面的氧化膜，并使其挥发。由此，将导电性提高到原来的3—4倍。
其特点是不需要使用价格高的氮化铝基板，可以在直径约5厘米的较大蓝宝石基板上实现这一构造。由于这次是利用研究用的方法成膜，研究小组计划换成更实用的方法，在1年内试制出高电子迁移率晶体管。
【来源：集微网】
