步华为后尘?三星Galaxy S8再陷“闪存门”事件手机

砍柴网 / 驱动中国 / 2017-05-08 18:51
驱动中国2017年5月8日消息 持续近一个月的华为P10“闪存门”事件刚刚有了些许风平浪静,类似的问题就再次出现在了三星最新一代旗舰手机Galaxy S8上。

持续近一个月的华为P10“闪存门”事件刚刚有了些许风平浪静,类似的问题就再次出现在了三星最新一代旗舰手机Galaxy S8上。同样的问题接连出现,着实让人有些缓不过神来。【疏油层事件之后华为再陷“闪存门”:弄虚作假还是友商丑化?】

日前,一位 lch920619x的技术爱好者在知名技术论坛 xda上发表了一些自己的研究发现。该网友购买的 Exynos 8895 版 Galaxy S8 (SM-G950FD)所采用的是 UFS 2.1 闪存(型号 KLUCG4J1ED – B0C1)。不过,他怀疑其他机友可能存在不同情况,于是便发起调查,呼吁大家对手上的 S8 和 S8+ 进行测试。

之后,部分机友通过测试后发现,S8 竟然混用了 UFS 2.0 和 UFS 2.1 两种闪存,只有 S8+ 使用了 UFS 2.1 闪存。然而,三星的官方介绍中却并没有具体区分 UFS 闪存的介绍,所有宣传介绍都是“UFS 2.1”。

更有意思的是,在美国等海外国家和地区,三星竟然还悄悄地修改了UFS 2.1 在参数信息中的介绍,甚至删去了UFS 2.1闪存的描述。如果没有问题,三星又为何在这款新机上市之际,悄悄修改新机的配置描述,这未免有些此地无银三百两的味道。

要知道,在这款旗舰新机当中,三星可是把UFS 2.1闪存当作Galaxy S8的重点来做宣传的。然而在实际当中,却存在UFS 2.1和UFS 2.0混用的现象。宣传和实际不符,这难免让人质疑,三星在Galaxy S8的配置上或许存在嫌疑的嫌疑。

综合来自于各方的消息报道发现,配置更高、价格更贵的 Galaxy S8+ 几乎全部使用了 UDS 2.1,Exynos 8895 版S8虽然也存在UFS 2.0和 UFS 2.1 混用的情况,但对UFS 2.0采用的占比相对较少,情况最为严重的是高通骁龙835版S8,UFS 2.0和 UFS 2.1的混用情况几乎是一半对一半。

在性能上,UFS 2.0 和 UFS 2.1 确实存在一定差异,前者的读取速度在 500MB/s- 600MB/s左右,后者的读取速度则在750MB/s-800MB/s 左右。虽然性能确实存在差异,但在实际使用中大多数消费者是区分不出来的。

在本月18日,三星将在北京举办发布会正式推出国行Galaxy S8。不知道,在这场发布会上,三星是否会就闪存混用问题做出回应。毕竟,在三星S8之前华为P10已经出现了类似的问题,此时此刻三星应该从中吸取教训:在很多时候,解决问题的态度要比具体方法更重要。

【来源:驱动中国】



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