出处：快科技 作者：万南
当前，最先进的芯片已经采用了 5nm 工艺（苹果 A14），这在另一方面也意味着，晶圆代工厂商们需要更加马不停蹄地推进制程技术的迭代。
来自 Digitimes 的最新报道称，台积电 2nm GAA 工艺研发进度提前，目前已经结束了路径探索阶段。
GAA 即环绕栅极晶体管，旨在取代走到尽头的 FinFET（鳍式场效应晶体管）。FinFET 由华人科学家胡正明团队研制，首发于 45nm，目前已经推进到 5nm。
不过，据说台积电的 3nm 依然延续 FinFET，但三星则会提前于 3nm 导入 GAA 技术。
基于全新的 GAA 晶体管结构，三星通过使用纳米片设备制造出了 MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥 - 通道场效应管），与现在的 7nm 工艺相比，3nm 工艺可将核心面积减少 45%，功耗降低 50%，性能提升 35%。
当然，落后其实并不可怕，最主要看进度。三星 7nm 也是想 " 一口吃个胖子 "，直接导入 EUV 极紫外光刻，结果起个大早赶个晚集，被台积电用 7nm DUV 抢先，自己实际并未揽获多少有价值的订单。
